碳化硅器件与硅基器件的成本构成有着很大的区别，碳化硅衬底和外延成本分别占47%、23%，几乎占据了大半部分的器件成本，而硅基器件的成本有50%是在硅晶圆制造上，衬底仅占7%。换句话来说，限制碳化硅器件成本和产能的因素更偏向于上游材料。

根本原因在于，以现在的制备技术而言，碳化硅衬底制造难度高、生长周期长、良率低，对比硅晶圆而言，简直一个天一个地，只能多造几个厂或者往8英寸晶圆方向发展，用量变来引起质变。

碳化硅粉末经过长晶、加工、切割、研磨、抛光及清洗后形成衬底。而一步碳化硅晶体生长就面临加工难度高、生长速度缓慢、生产环境要求高的问题。目前主流的碳化硅长晶方法是物理气相传输法（PVT），这种方法对制造环境要求很高，需要精准控制，且生长速度很缓慢。

一般硅晶圆只需要2-3天就可长出2米的8英寸柱体，而碳化硅耗时一周只能长出2cm，“事倍功半”。

长得慢就算了，它还很娇嫩。

碳化硅衬底的加工过程主要经过切割、削薄和抛光。介于碳化硅目前的加工工艺还不成熟，传统的切割工具容易损坏晶片，使得良率比较低。碳化硅本身韧性也不够，容易在削薄过程中开裂，所以这也是一道技术活。

所有这些制造及加工工艺，同样会影响后期器件的性能，影响良率，进而影响产能、成本。以特斯拉Model 3为例，其主驱动逆变器采用了48个碳化硅MOSFET，总成本约为5000元，是硅基IGBT的3-5倍。

据Wolfspeed预测，2022年碳化硅材料的市场规模为7亿美元，器件市场规模为43亿美元。2026年碳化硅材料市场规模达到17亿美元，器件市场规模将达到89亿美元。2022到2026年，材料市场规模年均复合增长率为24.84%，超过器件市场规模的年均复合增长率。

由此可见，碳化硅衬底产能的扩大对行业的发展有极大的推动作用。

碳化硅下游应用范围广泛，包含5G通信、光伏、航空航天、新能源汽车等领域，但仅新能源汽车就会消耗掉全球大部分的碳化硅产能。

Strategy Analytics预计到2025年全球新能源汽车销量将达到2240万辆，假设每一辆新能源汽车都用上了碳化硅器件，在保守的情况下，高压平台的碳化硅需求量会在219万片，中高压平台则会到437万片。

三安光电以及市场调研机构的数据预测，2025年全球碳化硅衬底总共是282万片，其中中国达到89万片，中国以外的地区是193万片。整体来看，产能缺口将达到400万片以上。